Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPLK60R1K5PFD7
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPLK60R1K5PFD7ATMA1, 600V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. Thin-PAK (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük elektrik kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 4.6 nC gate yükü ve 169 pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma sağlayan bu bileşen, güç kaynakları, motor denetleyicileri, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır. 25W maksimum güç saçması ile yönetilebilir ısıl performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 169 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | Thin-PAK (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok