Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPLK60R1K0PFD7
IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPLK60R1K0PFD7ATMA1, 600V ve 5.2A'e kadar çalışabilen N-Channel MOSFET'tir. 1Ohm maksimum RDS(On) değeri ile düşük konmutasyon kayıpları sağlar. Thin-PAK (8-PowerTDFN) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve renewable enerji sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunarak geniş sıcaklık aralığında istikrarlı performans sağlar. 31.3W güç dağılım kapasitesi ile yüksek yoğunluklu montaj tasarımlarında etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-52 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok