Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R650C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R650C6
IPL65R650C6SATMA1 Hakkında
IPL65R650C6SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 6.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 650mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama kaybı sınırlıdır. THIN-PAK (PG-TSON-8-2) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. -40°C ile 150°C arasında çalışır. 21nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Ürün yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok