Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R460CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R460CFDA
IPL65R460CFDAUMA1 Hakkında
IPL65R460CFDAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 8.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 460mΩ maximum on-state direnci (Rds On) ile verimli enerji aktarımı sağlar. Surface Mount paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında tercih edilir. 4-PowerTSFN kasa türü ile düşük termal direnç ve yüksek güç dağıtım kapasitesi sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok