Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R310E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R310E6
IPL65R310E6AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPL65R310E6AUMA1, 650V drain-source gerilimi ve 13.1A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. THIN-PAK paket tipi ve 4-PowerTSFN gövde yapısıyla yüksek yoğunluk uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 310mOhm RDS(on) değeri düşük geçiş kaybı sağlarken, geniş -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Maksimum 104W güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok