Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R210CFDAUMA2
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R210CFDA
IPL65R210CFDAUMA2 Hakkında
Infineon Technologies IPL65R210CFDAUMA2, 650V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel power MOSFET'tir. 16.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, 210mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4-PowerTSFN (PG-VSON-4) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -40°C ile 150°C arasında stabil çalışan bu bileşen, 151W maksimum güç dağıtabilir. Anahtarlama hızı ve düşük kapasitans özellikleri sayesinde endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü ve LED sürücü uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme voltajında çalışan MOSFET, 68nC gate charge ile hızlı anahtarlamaya imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok