Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R200CFD7AUMA1
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R200CFD7
IPL65R200CFD7AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPL65R200CFD7AUMA1, COOLMOS CFD7 Superjunction MOSFET teknolojisini kullanan N-Channel FET transistördür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 200mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 14A sürekli drenaj akımı kapasitesi, 81W güç disipasyonu ve düşük kapı yükü (23nC) sayesinde verimli enerji yönetimi sağlar. Endüstriyel anahtarlama kaynakları, güç dönüştürücüleri, inverterler ve SMPS (Switched Mode Power Supply) devrelerinde kullanılır. Surface mount 4-PowerTSFN paket tipinde sunulan bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1044 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok