Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R1K5C6
IPL65R1K5C6SATMA1 Hakkında
IPL65R1K5C6SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtar (switching) işlevi görmektedir. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sağlar. Gate charge değeri 11nC ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. Surface Mount teknolojisine sahip 8-PowerTDFN paket formatında sunulmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. Not For New Designs statüsünde olup, yeni tasarımlarda alternatif çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 26.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok