Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R1K0C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R1K0C6
IPL65R1K0C6SATMA1 Hakkında
IPL65R1K0C6SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 8-PowerTDFN paket tipi ile kompakt tasarıma uygun olup, SMD montajı destekler. Endüstriyel motor denetim devrelerinde, switch-mode güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. ±20V gate-source gerilimi toleransı ile geniş kontrol kapasitesi sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 34.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok