Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R190E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R190E6
IPL65R190E6AUMA1 Hakkında
IPL65R190E6AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4-PowerTSFN yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç dönüştürücüleri, invertörler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda sıklıkla tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge değeri 73nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok