Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R165CFDAUMA2
MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R165CFD
IPL65R165CFDAUMA2 Hakkında
IPL65R165CFDAUMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 650V drain-source gerilimi ve 21.3A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 4-PowerTSFN paket tipi ile kompakt tasarımlar için uygundur. IGBT sürücüleri, endüstri yel türbinleri, enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 195W maksimum güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok