Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R160CFD7AUMA1
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R160CFD7
IPL65R160CFD7AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPL65R160CFD7AUMA1, COOLMOS CFD7 SuperJunction teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 160mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 98W güç tüketimiyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1283 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok