Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R130CFD7AUMA1
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R130CFD7
IPL65R130CFD7AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPL65R130CFD7AUMA1, COOLMOS CFD7 SuperJunction teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltajlı güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 130mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Düşük gate charge (36nC) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. İnverterler, adapters, SMPS sistemleri ve industrial güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface Mount 4-PowerTSFN pakette sunulan komponent, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1694 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 420µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok