Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R130C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R130C7
IPL65R130C7AUMA1 Hakkında
IPL65R130C7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 130mΩ on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 4-PowerTSFN yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir. -40°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde geniş uygulama yelpazesini destekler. İnverter, konverter, motor kontrol ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok