Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R115CFD7AUMA1
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R115CFD7
IPL65R115CFD7AUMA1 Hakkında
IPL65R115CFD7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen COOLMOS CFD7 SuperJunction N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bu FET, 25°C'de 24A sürekli drenaj akımı sağlar. Düşük on-resistance (Rds On) değeri olan 115mΩ @ 10V ile enerji kaybını minimize eder. 4-PowerTSFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 144W maksimum güç saçabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1942 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok