Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL65R070C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL65R070C7
IPL65R070C7AUMA1 Hakkında
IPL65R070C7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 28A sürekli drenaj akımı ve 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüler, invertörler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -40°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 169W maksimum güç tüketimi ile güvenli şekilde tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 169W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok