Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R650P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R650P6
IPL60R650P6SATMA1 Hakkında
IPL60R650P6SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 6.7A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate-source voltajında 650mOhm (maksimum) on-resistance değerine sahip olup, düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 56.8W maksimum güç disipasyonuna ve geniş -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-ThinPak (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok