Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R365P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R365P7AUMA1
IPL60R365P7AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPL60R365P7AUMA1, 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 365mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 13nC gate charge ve 555pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımlanmıştır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 46W güç dağıtabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, şarj cihazları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok