Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R360P6
IPL60R360P6SATMA1 Hakkında
IPL60R360P6SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 11.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 360mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-ThinPak paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gate-source gerilimi ±20V aralığında, gate charge ise 22nC @ 10V'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-ThinPak (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok