Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R2K1C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R2K1C6
IPL60R2K1C6SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPL60R2K1C6SATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri, şarj cihazları, enerji dönüştürücüler ve indüktif yükün kontrolünde tercih edilir. 2.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paket tipi ile kompakt tasarımlar mümkündür. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 6.7nC gate charge ve 140pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığında çalışabilir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında DC-DC konvertörler, inverter devreler ve motor kontrol sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 21.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 760mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok