Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R299CPAUMA1
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R299CPA
IPL60R299CPAUMA1 Hakkında
IPL60R299CPAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 11.1A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4-PowerTSFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, invertör ve anahtarlama devrelerine uygun tasarlanmıştır. 299mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 96W maksimum güç dağıtabilir. RoHS uyumlu ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok