Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R285P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R285P7
IPL60R285P7AUMA1 Hakkında
IPL60R285P7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim dayanımı ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 285mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 4-PowerTSFN yüzey montajlı paket içinde gelir. Sıcak tarafından soğuk tarafına -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 18nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren döner konvertörler, inverter devreleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 761 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 59W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 285mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok