Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R255P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R255P6AUMA1
IPL60R255P6AUMA1 Hakkında
IPL60R255P6AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 15.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 255mΩ (10V, 6.4A koşullarında) maksimum RDS(on) değeri ile uygulamalarda verimli enerji iletimini sağlar. 4-PowerTSFN (PG-VSON-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. 31nC gate charge ve 1450pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, AC-DC adaptörleri, motor kontrolü ve switched-mode güç kaynakları gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen Obsolete durumda olup, yerine yeni serilerin önerilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 126W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 530µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok