Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R225CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A VSON-4-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R225CFD7AUMA1
IPL60R225CFD7AUMA1 Hakkında
IPL60R225CFD7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. 12A sürekli dren akımı kapasitesi ve 225mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 23nC gate charge ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. Surface Mount VSON-4-1 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel invertörler, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında güvenilir şekilde çalışan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1015 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok