Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R210P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R210P6
IPL60R210P6AUMA1 Hakkında
IPL60R210P6AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 19.2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 210mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimuma indirir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreler, UPS sistemleri ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -40°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok