Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R1K5C6
IPL60R1K5C6SATMA1 Hakkında
IPL60R1K5C6SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6) paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 26.6W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. SMPS (Switch Mode Power Supply), DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajı ile kontrol edilir ve 3.5V eşik gerilimi özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 26.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | Thin-PAK (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok