Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R199CPAUMA1
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R199CP
IPL60R199CPAUMA1 Hakkında
IPL60R199CPAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 16.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi görür. 199mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount paketi (4-PowerTSFN) ile kompakt tasarımlar için uygundur. İndüktör sürücüleri, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır, yeni tasarımlar için alternatif seçimlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok