Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R185P7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 19A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R185P7
IPL60R185P7AUMA1 Hakkında
IPL60R185P7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. 185mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, fotovoltaik invertörleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 81W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok