Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPL60R185C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
IPL60R185C7

IPL60R185C7AUMA1 Hakkında

IPL60R185C7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. 185mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kontrol devreleri, DC-DC konverterler, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package PG-VSON-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 260µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok