Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R180P6AUMA1
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R180P6
IPL60R180P6AUMA1 Hakkında
IPL60R180P6AUMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 22.4A sürekli dren akımı ve 180mOhm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 44nC gate charge ve 2080pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatörlerde yaygın olarak uygulanır. Surface Mount montajı ile 4-PowerTSFN paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok