Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 33A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R105P7
IPL60R105P7AUMA1 Hakkında
IPL60R105P7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 33A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 4-PowerTSFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 105mOhm (10V, 10.5A) on-state direnci ile enerji dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen IPL60R105P7AUMA1, endüstriyel ve otomotiv sektöründeki şarj cihazları, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1952 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok