Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPL60R104C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON

Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
IPL60R104C7

IPL60R104C7AUMA1 Hakkında

IPL60R104C7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 104mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4-PowerTSFN yüzey monte pakette sunulan bileşen, endüstriyel inverterler, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 122W güç dissipasyonuna dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1819 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 122W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 9.7A, 10V
Supplier Device Package PG-VSON-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok