Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R085P7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 39A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R085P7
IPL60R085P7AUMA1 Hakkında
IPL60R085P7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 39A sürekli drenaj akımı ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 85mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. PG-VSON-4 SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapasitans (2180 pF @ 400V) ve hızlı anahtarlama özellikleriyle endüstriyel ve ticari SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol devreleri ve diğer güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 154W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok