Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R065P7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 41A 4VSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R065P7
IPL60R065P7AUMA1 Hakkında
IPL60R065P7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 41A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 201W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel anahtarlama, motor kontrol, güç dönüştürme ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2895 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 201W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok