Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPL60R065C7AUMA1
MOSFET HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPL60R065C7
IPL60R065C7AUMA1 Hakkında
IPL60R065C7AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü N-Channel MOSFET'tir. 600V drain-source voltaj ve 29A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, UPS sistemleri ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yer alır. 4-PowerTSFN yüzey montaj paketinde sunulan MOSFET, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 180W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-VSON-4-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok