Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI90R800C3XKSA1
IPI90R800C3XKSA1 Hakkında
IPI90R800C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 6.9A sürekli drain akımı ve 800mΩ on-direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter uygulamalarında tercih edilir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında stabil çalışır. 42nC gate charge ve 1100pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Üretici parçası obsolete durumda olup, arşiv ya da yedek tedarik amaçlı uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 460µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok