Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI90R500C3XKSA2
IPI90R500C3XKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI90R500C3XKSA2, 900V drain-source gerilimi ve 11A sürekli akım kapasitesi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 500mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan cihaz, 156W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 740µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok