Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI90R500C3XKSA1
IPI90R500C3XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI90R500C3XKSA1, 900V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 500mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı düşük tutulmuştur. Cihaz -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 156W güç dağıtabilir. Güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, 68nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 740µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok