Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPI90R340C3XKSA2

MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IPI90R340C3

IPI90R340C3XKSA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPI90R340C3XKSA2, 900V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 15A kontinyu dren akımı kapasitesi ve 340mΩ maksimum Rds(on) değeri ile endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. 10V gate sürüş voltajında optimum performans sunan bu transistör, TO-262-3 paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında 208W güç dağıtabilmesi, enerji dönüştürme sistemleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj güç yönetimi devrelerinde tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 9.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok