Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI90R1K2C3XKSA2
IPI90R1K2C3XKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI90R1K2C3XKSA2, 900V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 5.1A sürekli dren akımı (Id) ve 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıp sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 28nC gate charge (Qg) ile hızlı anahtarlama özelliği, 10V drive voltage ile kolay kontrollenebilirdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok