Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI90R1K0C3XKSA1
IPI90R1K0C3XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI90R1K0C3XKSA1, 900V drain-source gerilimi ve 5.7A sürekli dren akımı kapasitesi olan N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 34nC gate yükü ve 850pF giriş kapasitansi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol, şarj cihazları ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Vgs(th) değeri 3.5V olup maksimum 89W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok