Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPI90N06S4L04AKSA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IPI90N06S4L04

IPI90N06S4L04AKSA2 Hakkında

IPI90N06S4L04AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) pakette sunulan bu bileşen, 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Şalter devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 150W maksimum güç disipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok