Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80P04P4L06AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80P04P4L06AKSA1
IPI80P04P4L06AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80P04P4L06AKSA1, P-channel güç MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 kasa tipinde temin edilen bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtar görevi görmek için kullanılır. 6.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 88W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Bileşen Obsolete durumda olup, mevcut envanterde bulunabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok