Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80P04P407AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80P04P407A
IPI80P04P407AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80P04P407AKSA1, 40V drain-source gerilim ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 80A sürekli drain akımı kapasitesi ve 7.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6085 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok