Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80P03P4L04AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80P03P4L04AKSA1
IPI80P03P4L04AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80P03P4L04AKSA1, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sağlanan bu transistör, düşük on-direnci (4.4mOhm @ 80A, 10V) ile enerji verimliliğine katkı sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Ürün yaşamı sonlanmış (Obsolete) olarak sınıflandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok