Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N08S406AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N08S406AKSA1
IPI80N08S406AKSA1 Hakkında
IPI80N08S406AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 80V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (5.8mOhm @ 80A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Gate threshold gerilimi 4V olup, ±20V maksimum gate-source gerilimini tolere eder. Şu anda üretimi yapılmayan bir parça olup, stok ürünler mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok