Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S4L07AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S4L07
IPI80N06S4L07AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80N06S4L07AKSA1, 60V drain-source gerilimi ile 80A sürekli dren akımını destekleyen N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 6.7mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük on-resistance karakteristiği sayesinde güç yönetimi uygulamalarında ısı kaybını minimize eder. Motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, ağır akım yük anahtarlaması ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 75nC gate charge ve 5680pF input capacitance özelliklerine sahiptir. Discontinued durumda olması nedeniyle stok kontrol önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok