Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S4L05AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S4L05
IPI80N06S4L05AKSA2 Hakkında
IPI80N06S4L05AKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate sürüş geriliminde 8.5mΩ on-direnci ile karakterize edilen bu transistör, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve maksimum 107W güç yayan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynağı tasarımları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate-threshold gerilimi 2.2V (60µA'da) ile hızlı tetikleme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 40A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok