Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S4L05AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S4L05
IPI80N06S4L05AKSA1 Hakkında
IPI80N06S4L05AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 60V drain-source gerilim ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücü devrelerinde ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılmaktadır. 5.1mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlarken, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Gate charge karakteristiği ve geniş sıcaklık aralığı, enerji yönetimi ve ağır yük uygulamalarında tercih edilmesini sağlamaktadır. Bölüm durumu obsolete olup, stok bulunabilirliği sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok