Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPI80N06S405AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IPI80N06S405

IPI80N06S405AKSA1 Hakkında

IPI80N06S405AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, TO-262-3 paketlemesiyle sağlanmaktadır. Maksimum 5.7mΩ On-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 107W güç dağıtım kapasitesi ile orta-yüksek güçlü uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, 10V gate sürme voltajında optimize edilmiştir. Ürün durumu: Üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok